複数のセラミック誘電体システムに対する内部コンポーネント構成の周波数応答の影響
作者: S. パラ | R・デムコ | M. ベロリーニ
要約：
このペーパーの目的は、セラミック システム内の内部設計の周波数応答の影響について議論することです。これらの影響は、ESD によって損傷を受けやすい高速データ ラインで ESD を抑制し、EMI を制御するために使用されるデバイスのコンポーネントの性能パラメータに関連します。通信速度が向上し、システムがより複雑になり、性能基準が厳しくなるにつれて、EMI/RFI 性能を向上させるオプションが非常に重要になります。長期的な EMI 性能と信頼性は、自動車、医療、航空アプリケーション分野で特に重要です。単一素子の従来の MLCC デバイスと MLV SMT デバイスの間で性能を比較します。 3 番目の比較は、ドープ ZnO 誘電体を使用した 3 端子 MLCC フィルターと XNUMX 端子 MLV フィルターの間で行われます。 MLV の周波数応答を (より高い周波数とより低い周波数まで) 拡張するための内部設計について説明します。これらは、MLV/MLCC を XNUMX つのパッケージにまとめて MLV 周波数応答を拡張することから、重複しない電極を使用して内部デバイス容量を最小化することまで多岐にわたります。サブ pf MLV の影響は、アイ ダイアグラムを使用して示されます。
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このペーパーの目的は、セラミック システム内の内部設計の周波数応答の影響について議論することです。これらの影響は、ESD によって損傷を受けやすい高速データ ラインで ESD を抑制し、EMI を制御するために使用されるデバイスのコンポーネントの性能パラメータに関連します。通信速度が向上し、システムがより複雑になり、性能基準が厳しくなるにつれて、EMI/RFI 性能を向上させるオプションが非常に重要になります。長期的な EMI 性能と信頼性は、自動車、医療、航空アプリケーション分野で特に重要です。単一素子の従来の MLCC デバイスと MLV SMT デバイスの間で性能を比較します。 3 番目の比較は、ドープ ZnO 誘電体を使用した 3 端子 MLCC フィルターと XNUMX 端子 MLV フィルターの間で行われます。 MLV の周波数応答を (より高い周波数とより低い周波数まで) 拡張するための内部設計について説明します。これらは、MLV/MLCC を XNUMX つのパッケージにまとめて MLV 周波数応答を拡張することから、重複しない電極を使用して内部デバイス容量を最小化することまで多岐にわたります。サブ pf MLV の影響は、アイ ダイアグラムを使用して示されます。
