マッチングタンタルコンデンサを使用した GaN パワーアンプの温度安定性評価

要約：
ワイドバンドギャップの GaN および SiC デバイスは、電力変換から RF トランジスタや MMIC に至るまでのアプリケーションで高いレベルの成長が見込まれています。エンドユーザーは、より高い電流と電圧下でも動作できるという GaN テクノロジーの利点を認識しています。 RF GaN市場は、22.9Gネットワ​​ークの実装によって後押しされ、2017年から2023年にかけて5%のCAGRで成長すると予想されています。 [1]

過去数年間、広帯域半導体は 1000 V 以上の BDV の達成を報告しており、これにより、路面電車、トロリーバス、高速列車などの電気牽引システムなどの高電力産業用途に新たな挑戦が開かれます。

広い温度範囲にわたる静電容量値の安定性、BIAS による静電容量の安定性、小型で薄型のケース サイズでのピエゾ ノイズ感度のなさのため、デカップリングおよび BIAS マッチングのタンタル コンデンサが使用されます。アルミニウム電解コンデンサに伴う摩耗が起こりにくく、温度、電圧、時間にわたって高い信頼性と安定性を示します。