GaNベースのデバイス用受動部品

要約：
シリコンベースのデバイス性能の理論上の限界は急速に近づいており、場合によってはすでに限界に達しています。したがって、IC (集積回路) 設計会社は、GaN (窒化ガリウム) などのワイドバンドギャップ半導体の性能を向上させながら、コストを削減することに注力してきました。

こうした集中的な取り組みのおかげで、GaN ベースのパワーおよび RF (無線周波数) デバイスは、現在複数のメーカーから手頃な価格で入手可能です。

複数の情報源が、より速い速度、より低い損失、より高い周波数、電圧、温度での動作という GaN ベースの半導体性能の利点を文書化しています。これらの利点により、より信頼性の高い、より小型で軽量のパッケージで、より低い消費電力レベルでパフォーマンスを向上させたエンド システムが可能になります。

GaN デバイスには高性能の受動コンポーネントに対するニーズがあり、まったく新しい受動デバイス ファミリのニーズが生まれています。