過渡電圧サプレッサーへの多層アプローチ
作者: ジョン・マクスウェル | ニン・チャン | アレン・テンプルトン
要約：
集積回路の改良により、速度が向上し、ESD 感度も向上しました。新しいシステムでは、これまで以上に外部保護が必要ですが、表面実装技術の進歩と製品の小型化により、保護コンポーネントには厳しいサイズ制限が課されています。セラミックの進歩により、過渡電圧サプレッサーを多層構造で構築できるようになり、電気的性能が向上し、同等のディスク構成よりもサイズが小さくなりました。ツェナー ダイオード トランジェント サプレッサに近いクランプ電圧とピーク電流の性能は、SMT ディスク バリスタまたは SMT ツェナー ダイオード サプレッサの 1206 分の 3.2 である一般的な 1.6 (XNUMX x XNUMXmm) チップ サイズで達成されます。
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集積回路の改良により、速度が向上し、ESD 感度も向上しました。新しいシステムでは、これまで以上に外部保護が必要ですが、表面実装技術の進歩と製品の小型化により、保護コンポーネントには厳しいサイズ制限が課されています。セラミックの進歩により、過渡電圧サプレッサーを多層構造で構築できるようになり、電気的性能が向上し、同等のディスク構成よりもサイズが小さくなりました。ツェナー ダイオード トランジェント サプレッサに近いクランプ電圧とピーク電流の性能は、SMT ディスク バリスタまたは SMT ツェナー ダイオード サプレッサの 1206 分の 3.2 である一般的な 1.6 (XNUMX x XNUMXmm) チップ サイズで達成されます。
