回路保護

技術記事: バリスタ選択の原則

技術記事: バリスタ選択の原則

バリスタ選択の原則 執筆者: Teddy Won 要約: バリスタは、過渡電圧を抑制して電子回路を保護するために使用される電子部品です。 回路内のバリスタの動作は TVS ダイオードと似ていますが、設計、材料、構造がまったく異なります。 市場にはさまざまな用途に適したさまざまな種類のバリスタがあるため、特定の回路を保護するために適切なものを選択するのは困難です。 京セラ AVX 多層バリスタは、独自の高エネルギー多層構造を備えており、最先端の過電圧回路保護と、ESD、誘導スイッチング、自動車関連の過渡現象、NEMP、照明などによって引き起こされる過渡電圧からの保護を提供します。 KYOCERA AVX多層バリスタは、オフ状態での EMI/RFI フィルタリングも提供するため、追加の EMC の必要性を置き換えることができます。

技術記事: SPE コネクタおよび回路保護デバイスの受動部品の進歩

技術記事: SPE コネクタおよび回路保護デバイスの受動部品の進歩

SPE コネクタおよび回路保護デバイスの受動コンポーネントの進歩 執筆者: Daniel West | Julian Wilson 要約: シングル ペア イーサネット (SPE) が展開され始めると、実装が簡単で信頼性の高い電線対基板の相互接続が必要になります。 完成したケーブルとコネクタのアセンブリを購入することは、必ずしも経済的または実行可能であるとは限りません。 しかし、時間がかかり、処理が難しいコネクタを扱うことも望ましくありません。 圧接コネクタ (IDC) とプレスフィット技術 (下の画像) は、圧着やはんだ付けのプロセスを必要とせず、ケーブルの長さや位置の多様性を維持しながら、合理化されたプロセスに簡単に変換できます。 IDC の冷間圧接機構による信頼性の高い保持力と気密シールに加えて、信号の完全性も向上します。

バリスタの利点と自動車分野での応用

バリスタの利点と自動車分野での応用

バリスタの利点と自動車分野での応用 執筆者: George Zhang 要約: 積層チップバリスタ (MLV) は、酸化亜鉛 (ZnO) を主成分とする抵抗素子です。ここ数十年、サージ電圧、ノイズ、過渡電圧に対する保護に使用されています。従来のバリスタとは異なり、最大ピーク電流と非線形係数が大きく、しきい値電圧以下では抵抗が非常に高く、電流がほとんど流れません。しかし、電圧が閾値を超えると抵抗が急激に低下し、大電流が流れるようになります。このような特性により、MLV は自動車を含む多くの電気および電子用途における保護要素として理想的になります。

先進運転支援システム (ADAS) 用の小型 MLV

先進運転支援システム (ADAS) 用の小型 MLV

先進運転支援システム用のミニチュア MLV 執筆者: Sudama Dharmappa 要約: 先進運転支援システム (ADAS) は、自動運転車が追求されるずっと前から、車両の安全性とパフォーマンスを向上させるために使用されてきました。電子センサーが自動車設計に統合されて以来、アンチロック ブレーキ、トラクション コントロール、クルーズ コントロールなど、さまざまな運転支援技術が広く採用されてきました。

車載イーサネット用京セラ AVX バリスタ

車載イーサネット用京セラ AVX バリスタ

車載イーサネット用京セラ AVX バリスタ 執筆者: 角 明宏 | Michael Kirk 要約: 現代の自動車 (特に電気自動車や自動運転車) では高性能センサー システムが普及しているため、高帯域幅、低遅延、低コストを実現する自動車ローカル エリア ネットワーキング (LAN) ソリューションの開発に多大なプレッシャーが生じています。 従来のワイヤリング ハーネスは、これらのデータと電力のニーズをサポートするには重すぎ、複雑になりすぎていました。

複数のセラミック誘電体システムに対する内部コンポーネント構成の周波数応答の影響

複数のセラミック誘電体システムに対する内部コンポーネント構成の周波数応答の影響

複数のセラミック誘電体システムに対する内部コンポーネント構成の周波数応答の影響 執筆者: S. Pala | R. デムコ | M. Berolini 要約: この論文の目的は、セラミック システム内の内部設計の周波数応答の影響について議論することです。これらの影響は、ESD によって損傷を受けやすい高速データ ラインで ESD を抑制し、EMI を制御するために使用されるデバイスのコンポーネント性能パラメータに関連します。通信速度が向上し、システムがより複雑になり、性能基準が厳しくなるにつれて、EMI/RFI 性能を向上させるオプションが非常に重要になります。長期的な EMI 性能と信頼性は、自動車、医療、航空アプリケーション分野で特に重要です。性能比較は単一要素間で行われます。

AVX TransGuards の SMT プロセスの特徴

AVX TransGuards の SMT プロセスの特徴

AVX TransGuards の SMT プロセス特性 執筆者: Ron Demcko 要約: TransGuards は、SMT アプリケーションでの広範な使用に独自に適しています。 TransGuards は、SMT アセンブリで使用すると多くの利点を発揮します。このペーパーは、多層 SMT ZnO TransGuard のはんだ付け特性をユーザーに理解していただくことを目的とした一般的なガイドラインです。

LCD ドライバ回路 EMI フィルタリング オプション

LCD ドライバ回路 EMI フィルタリング オプション

LCD ドライバ回路の EMI フィルタリング オプション 執筆者: Ron Demcko 要約: EMI フィルタ コンポーネント オプションのレビュー。製品の性能、デバイスの特性、および関連要素 (PCB ボード面積、配置コストなど) を比較します。

回路保護のための正しいAccu-Guardヒューズの選択方法

回路保護のための正しいAccu-Guardヒューズの選択方法

回路保護のための正しい Accu-Guard ヒューズの選択方法 執筆者: Irina Daynov | Barry Breen 要約: ACCU-GUARD は、小型で正確な表面実装ヒューズに対する電子回路のニーズを満たすように設計されています。この記事では、ACCU-GUARD を使用して回路を最適に保護するための設計ガイドラインを示します。動作温度、回路電圧、故障電流、定常状態電流、電流パルス(ジュール積分)を含むすべての主要パラメータが説明されています。

コンデンサの選択とEMIフィルタリング

コンデンサの選択とEMIフィルタリング

コンデンサの選択と EMI フィルタリング 執筆者: Jeffrey Cain | Steve Makl 要約: MLCC は、電源/接地システムと信号線自体の両方のノイズを低減するための、安価でありながら効果的な方法です。対象の周波数でインピーダンスが最小になるように適切な静電容量値を選択することも効果をもたらします。

AVX スタティックガードの SOT-23 SMT ダイオードとの性能比較

AVX スタティックガードの SOT-23 SMT ダイオードとの性能比較

AVX StaticGuard の SOT-23 SMT ダイオードとの性能比較 執筆者: Ron Demcko 要約: AVX StaticGuard は、MSI から VLSI CMOS 回路に過渡保護を提供するように設計されています。この記事では、低エネルギー シリコン ダイオードと比較した、低エネルギー MLV 過渡電圧サプレッサーの性能特性を示します。漏れ電流、クランプ電圧、静電容量、ピーク電流、反復ストライク性能など、すべての主要なパラメータが説明されています。 AVX StaticGuard は、過渡現象抑制アプリケーションにおいて SOT 23 ダイオードよりも優れた性能を発揮することが示されています。

AVX EMI ソリューション

AVX EMI ソリューション

AVX EMI ソリューション 執筆者: Ron Demcko |クリス・メロ | Brian Ward 要約: EMC 互換性は、ほとんどの電子システム設計者にとって重要な設計パラメータになりつつあります。このペーパーでは、設計者が利用できるさまざまな EMI フィルタ オプションの効率と有効性を比較します。統合型厚膜 LC T フィルタは、システム設計サイズを縮小してコストを最小限に抑えながら、基板レベルの EMC 性能を向上させるための費用対効果の高い方法であることが示されています。 EMI 発生源の一般的な概要と、PCB レイアウトおよび最適化ルールの簡単な概要が示されています。

過渡電圧サプレッサーへの多層アプローチ

過渡電圧サプレッサーへの多層アプローチ

過渡電圧サプレッサーへの多層アプローチ 執筆者: John Maxwell ニン・チャン | Allen Templeton 要約: 集積回路の改良により、速度が向上し、ESD 感度も向上しました。 新しいシステムでは、これまで以上に外部保護が必要ですが、表面実装技術の進歩と製品の小型化により、保護コンポーネントには厳しいサイズ制限が課されています。 セラミックの進歩により、過渡電圧サプレッサーを多層構造で構築できるようになり、電気的性能が向上し、同等のディスク構成よりもサイズが小さくなりました。 ツェナー ダイオード トランジェント サプレッサに近いクランプ電圧とピーク電流の性能は、SMT ディスク バリスタや SMT ツェナー ダイオード サプレッサの 1206 分の 3.2 である一般的な 1.6 (XNUMX x XNUMXmm) チップ サイズで実現されます。